日立高科发布新型FEB测长仪CD贸易

日立高新技术公司于2015年7月14日发布了FEB（Field Emission Beam，场发射电子束）测长装置的新产品“CG6 00”。该机型可满足7nm工艺元件开发和10nm工艺元件量产时的工艺控制需求，预定2015年10月开始销售。

据日立高新技术公司介绍，在7nm及10nm元件的微细化方法中，目前的主流是利用液浸曝光机实施LELELE（litho-etch-litho-etch-litho-etch，曝光-刻蚀-曝光-刻蚀）的反复工艺，以及利用液浸曝光机和成膜及刻蚀装置等实施SAQP（Self Align Quadruple Patterning）的多重图案形成技术。

另外，在FinFET、三维NAND闪存及DRAM方面，随着结构向三维化及大宽高比化发展，深沟槽及孔底的尺寸测量也要非常准确。而且，伴随微细化进程，掩模及检查工序的数量也在增加，成为尖端元件厂商的一大课题。

新产品G6 00在开发中更新了已有机型“CG5000”的电子光学系统，由此增强了分辨率，提高了测长再现性及画质。电子显微镜镜体可根据计测对象，选择由材料检测出的二次电子或反向散射电子，因此可针对BEOL（Back End Of line）工序中的Via-in-trench、三维NAND闪存以及DRAM，测量深沟槽及孔底的尺寸。

另外，通过将电子束扫描速度较原来提高一倍，还可降低晶圆表面的带电影响，获得高分辨率图像，并实现基于高对比度的边缘检测。同时，新产品还重新设计了载物台，使单位时间的晶圆处理量比原来提高了20％。（：小岛 郁太郎）