PI发布InnoSwitch系列高效率9

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　　新款InnoSwitch™ 高集成度开关电源IC可进一步将损耗降低25%，在宽范围的输入电压及负载条件下均可提供一致的高效性能

　　美国加利福尼亚州圣何塞，2017年9月1 日讯 – 致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布InnoSwitch™ 系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC。新器件在任何输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能，将电源损耗大幅降低25%，并且可以设计出无散热片的紧凑型65 W电源。InnoSwitch 器件适合对能耗、外形尺寸或热约束提出严苛要求的电源，特别是那些必须符合强制性总能耗(TEC)标准的电源。

　　InnoSwitch IC产品系列针对三种特定应用提供三种版本：

　　CE：外部电流。采用外部输出电流检测，可提供精确的恒流/恒压调整率，从而提高设计灵活性。适合仅有单一输出电压的紧凑型充电器、适配器、物联和楼宇自动化应用。

　　CP：恒定功率。适合USB功率传输(PD)、快速充电以及其他要求具有动态输出电压的应用。

　　EP：嵌入式电源。集成了该系列额定电压最高的MOSFET (725 V)，可提供全面的输入电压及负载保护，并且具有出色的多路输出交叉调整率，适合要求严苛的工业控制及家电应用。

　　这些最新的反激式开关电源IC采用Power Integrations创新的隔离式数字通信技术 —— FluxLink™，此外还具有同步整流、准谐振开关以及精确的次级侧反馈检测和控制电路。这些特性可实现高效率、高精度和高可靠性的电源电路，并且无需光耦器。InnoSwitch 器件已通过CCC、UL和VDE安全认证，可安全地跨接于隔离带。InSOP™-24封装可提供高效散热的薄型方案，并且初级侧与次级侧具有更宽的11.5 mm爬电距离和电气间隙，可靠性更高，抗浪涌及ESD能力更强。新器件还集成了完善的保护特性，包括无损耗输入过压及欠压保护、输出过压保护、过功率保护、过流保护、过温保护以及输出整流管短路保护。此外，新IC还提供子系列器件，根据每种目标应用空间的典型要求可选择锁存或自动恢复功能。所有InnoSwitch IC均集成了高压MOSFET（CP和CE系列采用650 V额定电压MOSFET，EP系列采用725 V额定电压MOSFET）。

　　Power Integrations产品开发副总裁Mike Matthews表示：“InnoSwitch IC为反激式电源设计带来了最新、最先进的技术方案。与我们之前效率极高的InnoSwitch产品相比，这些新器件的效率更胜一筹，可进一步将损耗降低25%，在任何输入电压及负载条件下均提供一致的高效性能。InnoSwitch IC方案具有系统极为简单和元件数少的特点，可实现超紧凑的高可靠性电源，且应用范围十分广泛。”

　　InnoSwitch IC适用于消费电子、计算机和工业应用的适配器和敞开式电源。InnoSwitch -CP和InnoSwitch -CE IC样品现已开始供货，基于10,000片的订货量每片单价分别为1.11美元(CE)和1.15美元(CP)。InnoSwitch -EP器件将于2017年11月份开始供货，基于10,000片的订货量每片单价为1.18美元。设计者可以使用我们的选型工具“Build Your Own InnoSwitch”，根据自己的设计规格参数自定义器件特性。如需包括PI ExpertTM Online设计工具在内的InnoSwitch IC技术支持，请访问Power Integrations站：。

　　关于Power Integrations

　　Power Integrations, Inc.是高压电源转换领域半导体技术的领先创新者。该公司的产品是清洁能源生态系统内的关键组成部分，可实现新能源发电以及毫瓦级至兆瓦级应用中电能的有效传输和消耗。有关详细信息，请访问站。