IR推出PQFN封装和铜夹技术的中压功率

　　国际整流器(IR) 7月2日宣布，将拓展HEXFET功率MOSFET产品组合，提供完整的中压器件系列，其中采用了5x6mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。

　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。

　　IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“由于新器件的尺寸仅为0.9mm，并具有标准引脚，可提供高额定电流和低导通电阻，因此与需要多个并行元件的解决方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常适合电路板空间狭小的开关应用。”

　　所有器件都具有低热阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 标准，所采用的环保材料既不含铅、溴或卤，也符合有害物质管制指令(RoHS)。