Vishay的新一代TrenchFETM

　　新系列器件在10V和4.5V下导通电阻低至1.0mΩ和1. 5mΩ

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其新一代TrenchFET Gen IV系列 0V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻低至1. 5mΩ，Miller电荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK SO-8和封装。

　　新款Vishay Siliconix TrenchFET IV在硅设计、晶圆加工和器件封装上采用了多项技术改进措施，为功率电子系统设计者提供了诸多好处。与前一代器件相比，SiRA00DP的导通电阻与面积乘积减小了60%，在10V电压下实现了1.0mΩ的极低RDS(on)，4.5V下1. 5mΩ的导通电阻达到业内最佳水准。对于设计者而言，MOSFET的低导通电阻可以实现更低的传导损耗，减少功率损耗，达到更高的效率。

　　TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一种新型结构，这种结构实现了非常高密度的设计，而没有明显增加栅极电荷，克服了经常在高晶格数量器件上出现的这个问题。今天发布的MOSFET的总栅极电荷较低，使得SiRA04DP在4.5V下导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)降至56nC-Ω。

　　SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系统效率，降低温度，采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK SO-8封装，SiSA04DN的效率与之相近， . 0mm x . 0mm PowerPAK 封装的面积只有前三款器件的1/ 。今天发布的所有器件的Qgd/Qgs比值仅有0.5或更低。更低的比值可以降低栅极感应电压，有助于防止击穿的发生。

　　SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN适用于高功率密度DC/DC转换器、同步整流、同步降压转换器和OR-ing应用。典型终端产品包括开关电源、电压调节模块(VRM)、POL、通信砖式电源、PC和服务器。

　　TrenchFET Gen IV经过了100%的Rg和UIS测试。这些器件符合IEC 的无卤素规定和RoHS指令。

　　TrenchFET Gen IV系列中所有产品的完整详细数据请访问：。

　　Vishay Siliconix是业内首家引入Trench MOSFET的供应商。该公司的TrenchFET知识产权包括大量专利，以及可追溯到20世纪80年代早期的基础技术专利。每一代新的TrenchFET技术生产出来的产品都将各种计算、通信、消费电子和其他应用中功率MOSFET的性能指标提高了相当可观的数值。

　　器件规格表：

　　TrenchFET Gen IV MOSFET现可提供样品，在2012年1季度实现量产，大宗订货的供货周期为十二周。